دراسه نظرية للبنيه الالكترونية والخصائص الضوئية لكبريتيد الشلكو جنيد PbS,PbSe,PbTe بالاعتماد على طريقة النظريه الداليه للكثافة
مؤلف
العمري، مريم عبدالله محمد
الملخص
ملخص_x000D_
يهدف هذا العمل إلى دراسة الخصائص البنيوية الالكترونية و الضوئية للثنائيات شبه الموصلة_x000D_
PbTe, PbSe, PbS كبريتيدالشلكوجنيد_x000D_
(FP-LAPW) بالاعتماد على طريقة الأمواج المستوية_x000D_
Wien2k وتكون الحسابات الرقمية عن طريق البرنامج_x000D_
(DFT)في إطار النظرية الدالية للكثافة_x000D_
(LDA) ,(GGA) (mBJ ) وباستعمال الطرق_x000D_
للمقارنة بهدف الوصول لأقرب نتيجة تتناسب مع نتائج الخواص المتحصل عليها تجريبيا. وتعد الثنائيات كبريتيدالشلكوجنيد من أهم اشباة الموصلات الموجودة في المجموعة الرابعة و السادسة من الجدول الدوري. لها تركيب بلوري مكعب ذات فجوة طاقة ضيقة و مباشرة وتكون وحدة الخلية من النوع متمركز الأوجه حيث يحاط كل أيون كبريت بأربع ايونات وبمسافات متساوية مكوناً هيكلاً رباعياً منتظماً مركزه أيون الكبريت، أما الرابطة التي تربط بين ايونات الكبريت والرصاص مثلا فهي رابطة تساهميه ناتجة عن اشتراك إلكترونين, لذلك كان استخدام مركبات كبريتيدالشلكوجنيد بكميات كبيرة في العديد من التطبيقات التي سوف تعمق معلوماتنا عن خواصها وأهمية ذلك في التطبيقات التكنولوجية. الثنائيات شبه الموصلة و _x000D_
ملاحظة
إشراف : د. عبدالعزيز محمد الوردي قسومي.
